富士通セミコンダクターは、シリアルインターフェースの最大メモリ容量となる4MビットFRAM（注1）「MB85RS4MT」を開発し、9月から量産品を提供する。

MB85RS4MTは、エッジコンピューティングの拡大、センサー情報のデータ量の増大という環境の変化により、既存のEEPROMを使用している顧客からの「書換え回数を増やしたい」、「書換え時間を短くしたい」、「メモリ容量を増やしたい」という要求に応え開発。

ドライブレコーダ/運行レコーダ、ロボット、工作機械、計測装置、メーター、民生機器などリアルタイムでの頻繁なデータログが必要とされるあらゆるアプリケーションに最適だとしている。

同製品の書換え保証回数は、同じ不揮発性メモリのEEPROMと比較して約1,000万倍の10兆回。書換え回数が、設計のボトルネックにならないため（図1）、エッジコンピューティングにおけるセンサー情報を、頻繁に記録するためのメモリとして最適だとしている。

図1:書換え回数比較

また、データの書込みに関して、EEPROMやフラッシュメモリでは、書込み時間に加えてセクターの消去時間が必要になるが、FRAMでは、消去せずに上書きを行うため高速。データ書込み中に瞬断などの電圧低下が発生した場合でも、FRAMは書込み中のデータの保護ができる（図2）とのことだ。

図2:書込み時間比較（電圧低下時）

さらに、同FRAMの動作電圧は、1.8Vから3.6Vまでのワイドレンジとなっており、メモリ周辺の電子部品が1.8V、または3.6V動作品のどちらにも対応。動作電流は、1MHz動作時が最大250μA、スタンバイ電流は最大50μAとなる。

パッケージは、既存のEEPROMと置き換え可能な8ピンSOP。製品の設計を大幅に変更することなく、同新製品への切り替えができるとのことだ。

富士通セミコンダクターでは、今回発表のFRAMの他、今年4月に「-55℃動作のFRAM」、6月に「8MビットパラレルFRAM」を市場に投入している。

[主な仕様]

製品名：MB85RS4MT
容量（メモリ構成）：4Mビット（512K x 8ビット）
インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース）
動作周波数：最大40MHz
動作電源電圧：1.8V～3.6V
動作温度範囲：-40℃～＋85℃
書込み/読出し保証回数：10兆回（1013 回）
パッケージ：8ピンSOP

注1） FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）：
強誘電体メモリ。強誘電体膜をデータ保持のキャパシタに利用したメモリ。電源を切っても内容を保持する。データの高速な書込み動作、低消費電力、書換え回数が多いといったROMとRAMの長所をあわせ持つ。FeRAMとも呼ばれる。富士通セミコンダクターでは、1999年より量産開始。